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并聯電阻阻值的計算公式為:1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+...1/Rn...
igbt(絕緣柵雙極型晶體管),是由 bjt(雙極結型晶體三極管) 和 mos(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,igbt沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導...
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